解读3D集成电路技术

3D集成被定义为一种系统级集成结构，在这一结构中，多层平面器件被堆叠起来，并经由穿透硅通孔（TSV）在Z方向连接起来。其中制造工艺技术有以下三种：

TSV制作：Z轴互连是穿透衬底（硅或者其他半导体材料）而且相互电隔离的连接，TSV的尺寸取决于在单层上需要的数据获取带宽；

层减薄技术：初步应用需减薄到大约75~50μm，而在将来需减薄到约25~1μm；

对准和键合技术：或者芯片与晶圆（D2W）之间，或者晶圆与晶圆（W2W）之间。

3D集成电路技术满足未来带宽需求
就在昨天11月8号，全球半导体联盟(GSA)今天宣布，将在全球范围提升3D IC技术以及相关教育计划的认知度和可见性。无线行业力推3D集成电路堆栈技术，使其能够弥补移动互联网设备在电源和空间限制上的不足。同时，网络、图形和计算机设备用户需要3D IC技术满足下一代的带宽与性能需求。

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